2025年5月15日是全省第十九个“政务公开日”，围绕“深化政务公开、助力决战决胜”的活动主题，沈阳市科技创新服务中心以政务公开为契机，结合沈阳市科技创新政策宣传与助企服务需求，开展了专题调研走访活动。
近日，第十二届中国创新创业大赛（辽宁赛区）暨2023年辽宁创新创业大赛行业赛启幕。中国创新创业大赛是全国范围内历史最久、规格最高、影响力最广的创新创业赛事。辽宁赛区比赛已成为省内科技企业融资对接、技术合作、成果转化的重要载体和平台。本届大赛累计吸引582家企业报名参赛，经过前期城市赛的激烈角逐，遴选出234家企业晋级全省行业赛。今年，省行业赛将按照新一代信息技术、高端装备制造、生物医药、新能源和新能源汽车、新材料、节能环保6大行业领域，分别在沈阳高新区、鞍山高新区、本溪高新区、锦州高新区、营口高新区以及盘锦高新区举行，最终选拔出75家行业内优秀企业。
近日，辽宁省工信厅副厅长毛丰燕、市科技局副局长孙晓慧一行5人来我司鹏城微纳技术（沈阳）有限公司开展实地调研，全面了解微纳项目开展情况，就鹏城微纳今后的发展路线、部委省市相关政策申报进行指导。随后由鹏城微纳吴向方先生带领团队陪同区委常委、副区长关浩，区科技局主要领导参观鹏城微纳生产制造中心，也为各领导进行了整体的公司介绍。
2023年8月9日至11日第十一届(2023)中国电子专用设备工业协会半导体设备年会暨产业链合作论坛、第十一届半导体设备材料与核心部件展示会(CSEAC)将在江苏无锡太湖国际博览中心隆重举行。本届大会以“协力同芯抢机遇、集成创新造设备”为主题、围绕半导体行业最为关切的焦点和热点问题，展示支撑我国半导体产业发展的“设备”与“核心部件”取得的成就，研讨客观存在的重重困难和问题，探求当前和今后一段时期“破解”、“突围”的路径和方案。
“2022年3月注册，10月建厂，12月开始投产，企业估值5.5亿元。今年有望成为规上企业，明年产值将达到5000万元到1亿元。”哈尔滨工业大学(深圳)教授、鹏城微纳技术(沈阳)有限公司（以下简称：鹏城微纳）技术总监吴向方近日在接受采访时介绍，鹏城微纳立足于市场前沿、产业前沿和技术前沿的交叉点，解决微纳产业“卡脖子”问题和国产化难题。企业的快速发展，有望推动沈阳微纳产业驶上发展的快车道。
2023年7月12日，辽宁省深圳市科技局领导干部一行来到鹏城微纳技术（沈阳）有限公司（简称：鹏城微纳）考察指导工作，鹏城微纳总经理吴向方接待并陪同领导视察。
良好的信用是企业的核心竞争力，是企业的“金名片”，更是客户的“安心石”2023年06月，鹏城微纳技术（沈阳）有限公司 (简称：鹏城微纳）顺利通过企业信用等级评价认证，经权威机构评审，鹏城微纳体喜获“AAA级企业信用等级”证书及“AAA信用企业等级”牌匾。
随着全球宏观环境的逐步恢复，第三代半导体产业于2023年迈向新的发展高峰，值此之际，TrendForce集邦咨询于6月15日在深圳举办了“2023第三代半导体前沿趋势研讨会”，汇聚了海内外第三代半导体先进企业代表，以及科研院校和媒体界的众多菁英，共同探讨第三代半导体产业的现状，展望未来。鹏城半导体作为半导体薄膜解决方案创新引领者，应邀出席了2023集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会。
近日，辽宁省沈阳市大东区委副书记，政府党组书记、区长王林祥来到沈阳大学科技产业园暨微纳产业园调研走访，了解驻区科技企业运行和科技创新、产品研发等工作情况，鼓励企业深入贯彻落实党的二十大精神，全力实施创新驱动发展战略，下好创新先手棋，加快科技研发和生产、推进产学研深度融合、招引优质创新人才，积极构建彰显大东特色优势的现代化产业体系，力争把企业园区打造成为具有国际竞争力的科技创新聚集地，为大东区科技产业发展、实现创新突破提供强有力的支撑。
金刚石是一种典型的多功能极限材料，在电学、光学、热学、力学声学和电化学方面具有优异性能，在众多高新技术领域具有广阔的应用前景。20世纪80年代之后，化学气相沉积（CVD）技术制备金刚石涂层促进了其广泛的应用，引发了席卷全球的“金刚石热”。90年代后，随着金刚石涂层工业化制备技术的出现，金刚石涂层产业开萌生。金刚石涂层工具、金刚石热沉、金刚石光学窗口、金刚石膜基探测器及传感器和金刚石电极等一系列高技术附加值产品开始进入市场，极大地推动了精密加工、生物医学、电化学、传感与探测和半导体等领域的产业升级。
金刚石作为一种宽带隙半导体材料，具有优异的物理化学性能，在高温高频、大功率电子器件等高新技术领域有极大的应用潜力。但目前缺乏有效实用的n型导电材料，制约了金刚石半导体在电子领域中的应用。众多研究者寻找有利于获得低电阻率n型金刚石的杂质元素和掺杂方法。
磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种。 原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。
5月25日，沈阳市大东区副区长张悦（区委常委，区政府党组副书记、副区长）、大东区科技局局长吴英华、中科城市数字经济产业园副总宋昕等领导一行莅临鹏城半导体全子资公司-鹏城微纳技术（沈阳）有限公司（简称：鹏城微纳）参观指导，鹏城微纳总经理吴向方等领导陪同，先后参观了鹏城微纳的生产设备区域以及办公场所，鹏城微纳总经理吴向方先生进行了详细的讲解和介绍，并深度沟通了政企合作。
鹏城半导体为大家带了热丝CVD金刚石、PECVD 等离子体增强化学气相沉积、高真空磁控溅射、高真空电子束蒸发镀膜机、分子束外延系统MBE、LPCVD低压化学气相沉积等自主研发产品及系统解决方案，吸引了众多参会者的目光。与会者纷纷前来咨询和了解产品信息及解决方案。鹏城半导体并与业界专家、学者和企业家共同探讨行业发展趋势和未来发展方向。
4月16日，“才聚西塞山 青创南太湖”第六届中国·湖州全球高层次人才创新创业大赛暨深圳城市赛正式开赛，前期共征集20多个高层次人才创业项目，经过层层筛选，共有9个项目进入本次城市赛，涉及新能源、新材料、生命健康、AI智能等多个领域。
2023年4月9日，为期三天的第十一届中国电子信息博览会(英文简称：CITE2023)在深圳福田会展中心圆满落幕。
真空镀膜设备的薄膜制作过程，简单来说就是将一种材料(薄膜材料）转移到另一种材料(基底)的表面，形成和基底牢固结合的薄膜的过程。所以，任何的真空镀膜薄膜制作方法都包括:源蒸发、迁移和凝聚三个重要环节。
2023年第二届第三代半导体材料技术与市场研讨会由半导体在线主办，本届会议于2023年3月30-31日在中国-苏州合景万怡酒店召开。 在此次会议，鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体）将带来纳米技术及高端制造设备跟大家见面，其中包括多功能磁控溅射解决方案、热丝CVD金刚石制备设备、分子束外延系统MBE、等离体增强型化学气相沉积PECVD、高真空电子束蒸镀仪等。
所谓溅射就是用荷能粒子(通常用惰性气体的正离子)去轰击固体(以下称靶材)表面，从而引起靶材表面上的原子(或分子)从其中逸出的一种现象。这一现象是格洛夫(Grove)于1842年在实验研究阴极腐蚀问题时，阴极材料被迁移到真空管壁上而发现的。
![鹏城半导体亮相第八届国际第三代半导体论坛&第十九届中国国际半导体照明论坛[2023年2月7-10日苏州]](http://cdn.xuansiwei.com/d0820dck4739/1675064846165/pengchengbandaoti.jpg?x-oss-process=style/small)
一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS ）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于2023年2月7日-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。
近日，鹏城半导体获得国家知识产权局颁发的实用新型专利证书，《一种线槽组件以及电控模组》专利号ZL202222158660.5。
真空镀膜技术作为一种产生特膜层的技术，在现实生产生活中有着广泛的应用。真空镀膜技术有三种形式：即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀膜。在这里主要讲下磁控溅射镀膜。
9月7日-9月9日，第24届中国国际光电博览会将在深圳国际会展中心举办。 鹏城半导体将携热丝CVD金刚石制备设备、分子束外延薄膜生长设备（MBE）、高真空磁控溅射仪、多功能磁控溅射仪、高真空电子束蒸发镀膜机、高真空电阻热蒸发镀膜机及化学气相沉积（CVD）设备（其中包括LPCVD设备、MOCVD设备、PECVD设备等）等解决方案品参加此次展会，在此诚挚邀请业界朋友莅临至格展位，共话前沿技术，展望半导体未来。
后摩尔时代的来临，究竟给中国半导体产业发展带来怎样的新机遇？8月3-5日，2022碳基半导体材料与器件产业发展论坛（CarbonSemi 2022）在浙江·宁波成功举办。论坛以“探索碳基半导体产业化应用”为切入点，特邀各方领导、专家、学者、产业界精英齐聚一堂。
第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会于8月12日-14在厦门君泰酒店召开，此次 “论坛”大多来自我国从事MEMS、传感器、机器人、微加工、微制造、微系统、微能源、纳米材料等相关的高校院所、生产制造和封装测试单位，成员主要负责生产管理工作的领导和技术人员，负责设备规划和选型的专家，以及从事教学科研的学者。
2022年8月15日-18日，第十七届全国MOCVD学术会议选择在中国·太原·湖滨国际大酒店举行。
近日，经中华人民共和国国家版权局审核，根据《中华人民共和国计算机软件保护条例》和《计算机软件著作权登记办法》的规定，“鹏城半导体技术（深圳）有限公司-全资子公司鹏城微纳技术（沈阳）有限公司”获3项《中华人民共和国国家版权局计算机软件著作权登记证书》，分别是：《多功能磁控溅射系统软件V1.0》、《高真空热蒸发薄膜沉积系统软件V1.0》、《立式多功能热丝CVD沉积系统软件V1.0》。从颁证之日起，该3项系统软件的版权将得到中国版权保护中心的有效保护。
半导体行业技术高、进步快，一代产品需要一代工艺，而一代工艺需要一代设备。全球半导体设备市场集中度高，主要有美日荷厂商垄断，国内自给率仅有 5%左右，国产替代空间巨大。尤其是随着摩尔定律趋近极限，半导体行业技术进步放缓，国内厂商与全球龙头技术差距正在逐渐缩短，未来 3-5 年将是半导体设备国产替代黄金战略机遇期。
6月29日至7月1日，第四届全球半导体产业与电子技术（重庆）博览会（以下简称“博览会”）在重庆国际博览中心圆满落幕。博览会聚焦“集成电路设计制造、封装测试、半导体材料、AI+IOT+5G、智慧电源、生产设备、电子元器件、电子智能制造、智慧工厂、测试测量、连接器及线束加工”等重点领域，涵盖展览展示、权威发布、高端论坛、技术研讨、招商推介等多维度活动内容，发布推广新产品、前沿技术成果和优秀解决方案，搭建专业高端的产业生态交流合作平台。
6月带着憧憬与期待，在重庆这片沃土上与我们相遇，未来，初心依旧。第四届全球半导体产业（重庆）博览会（简称“GSIE 2022”），将于2022年6月29日-7月1日在重庆国际博览中心举办。
2022年5月31日，由广东省半导体行业协会主办的以“科技创芯·智汇坪山”为主题的2022年深圳市坪山区半导体产业创新发展高端研讨会在坪山区创新广场东部之芯成功举办，本次高端研讨会有效促进产业科研成果与坪山区优势资源高效对接，得到了深圳市坪山区工业和信息化局的支持。
近日，鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体）申请的《PVD薄膜沉积系统软件 》、《高真空溅射系统软件》、《电子束蒸镀薄膜沉积系统软件》、《微米晶、纳米晶金刚石薄膜CVD沉积系统软件》4项软件著作权专利通过审批，经中华人民共和国国家版权局考证，根据《中华人民共和国计算机软件保护条例》和《计算机软件著作权登记办法》的规定，鹏城半导体技术（深圳）有限公司被认定这4项软件的法定著作权人，从颁证之日起，其版权将得到“中国版权保护中心”的有效保护。
【前言】金刚石是自然界已发现的具有最高的硬度、强度、耐磨性材料，金刚石具有的热导率、透过波段、声速以及半导体特性和化学惰性等综合性能使其成为当今世界上最优秀的全方位材料。上世纪80年代初期通过化学低压气相沉积生成金刚石薄膜(CVD)技术取得突破性进展，经过多年的研究发展，CVD金刚石生长技术已日渐成熟。目前已有四种形态的CVD金刚石产品进入市场，它们是：1)纯多晶金刚石厚片 2)涂层金刚石；3)大单晶金刚石；4)纳米金刚石膜。CVD金刚石的问世不仅可以带来巨大的经济效益，而更为重要的是，CVD金刚石可以把金刚石材料全方位特性应用发挥到及致，它必将成为世界工业经济的重要组成部分。
高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。
摘要：随着可持续发展观的深入普及和社会经济的快速发展，经济与环保协同发展成为当下企业发展和科技创新的主要趋势。传统的通电镀膜技术会产生较大的污染，且镀膜质量不高，经济效益低下，已逐渐退出历史舞台，取而代之的是技术更加先进、镀膜质量更加优秀的真空镀膜技术。真空镀膜技术不仅能够满足人们对于产品外观的需求，而且在镀膜过程中不会对周围环境产生较大的污染。
芯力量初赛第七场将于4月20日正式启动，聚焦BAW滤波器、模拟芯片、外延设备、光电探测器四大热门赛道。这些赛道不仅前景广阔，而且都是亟待国产化的重要赛道。本次鹏城半导体受邀以高端半导体外延设备为主题亮相本次大赛。
深圳“半导体”如何稳住竞争力？半导体需打破国外技术制约瓶颈 进一步推动产学研合作攻关。
鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
2022年1月17日, 国华三新与鹏城半导体在深圳举行签约仪式, 国华投资吴叶菲总经理等一行出席本次签约仪式；鹏城半导体代表吴向方先生等一行出席本次签约仪式。
被誉为“中国科技第一展”的第二十三届中国国际高新技术成果交易会(以下简称“高交会”)将于12月27日在深圳开幕
2021年12月15日，鹏城半导体技术（深圳）有限公司与深圳市晶富能源有限公司在深圳签订战略全作协议。根据协议，双方优势互利、强强联合、互惠互利、友好合作的原则，就砷化镓太阳能薄膜电池的研发、生产、销售进行紧密的全方位战略合作，共同努力将此项目迅速做好做强做大。
2021年12月6-8日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2021）在深圳召开。
2021年11月26日-28日，由光电材料器件网、 中国新材料发展平台、华南理工大学联合举办的第四届光电材料与器件发展研讨会在广州（广州华钜君悦大酒店）成功召开。
11月26日，2021国际共生战略产业联盟，宝安区科创局产业园产业政策解读及调研座谈会在深圳湾科技生态园举行，参会的有宝安科创局、国际共生战略产业联盟投融资中心等20家左右参会单位，鹏城半导体也受国际共生联盟邀请与深圳市宝安区科技局领导的专场沟通会。
11月18-20日，由广东省科学技术协会、广东省科学技术厅、广州市科学技术协会指导，广州国际技术交易服务中心有限公司、广东省真空学会、广东省真空产业技术创新联盟主办的粤港澳真空科技创新发展论坛暨广东省真空学会2021年学术年会在增城成功举办！本次会议有来自广东省内外大专院校、研究院所和公司企业的科学家、工程师、技术人员和管理人员共300余人参加，鹏诚半导体技术（深圳）有限公司也荣兴受邀参会。
离子镀膜设备起源于20世纪50年代D.M.Maiox提出的理论，且在当时开始有了对应的实验;直到1971年，Chamber等发表电子束离子镀膜技术;而反应蒸镀(ARE)技术则是在1972年的Bunshah报告所指出，此时产生了TC及TN等超硬质的薄膜类型;同样是在1972年，Smith和Moley在镀膜工艺中采用了空心阴极技术。到了20世纪80年代，我国离子镀终于达到工业应用的水准，相继出现了真空多弧离子镀及电弧放电型离子镀等镀膜工艺。
等离子体化学气相沉积设备有两种:其一是PCVD(等离子体一般化学气相沉积)，另一个是PECVD(等离子体增强化学气相沉积)，它们都是在20世纪70年代发展起来的镀膜工艺。
大直径高质量 SiC 衬底对提高 SiC 和 GaN 器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而，随着单晶直径的扩大，如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布，模拟结果表明微凸温场生长的晶体外形更加平整。对两个批次的 6 英寸 ( 1 英寸= 2. 54 cm) SiC 单晶衬底分别进行了 ( 004) 面 X 射线摇摆曲线全图扫描，评价了衬底结晶质量，并在衬底上进行了 GaN 外延生长。结果表明，采用结晶质量好且均匀的 SiC 单晶衬底，外延生长的 GaN 质量更高。
半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。其导电能力会随温度、光照及掺入杂质的不同而显著变化，特别是掺杂可以改变半导体的导电能力和导电类型，这是其广泛应用于制造各种电子元器件和集成电路的基本依据。
宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体相比，宽禁带半导体的优点更加的突出。
11月18日，由中科院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室、中国电子学会传感与微系统技术分会主办，北京赛微电子股份有限公司协办,由厦门半导体投资集团有限公司、上海龙媒商务咨询有限公司承办的“2021(十三届)传感器与MEMS产业化技术国际研讨会（暨成果展)”在厦门海沧融信华邑酒店顺利召开；本届鹏城半导体技术（深圳）有限公司以崭新的姿态亮相传感器与MEMS产业化技术国际研讨会（暨成果展)，首次全面展示公司各系列产品。
据国际知名分析机构 Yole 在早前的一份报告中介绍，受汽车应用的强劲推动，尤其是在 EV 主逆变器方面的需求，SiC 市场将迎来高速增长。
2021年，我国芯片产量增长了33.3%，产业链供应链韧性得到提升。汽车芯片保供工作取得阶段性成效，新建产能将于今年陆续释放，国内部分芯片产品供给能力也在逐步提升。这是记者从2月28日国务院新闻办公室举办的“促进工业和信息化平稳运行和提质升级有关情况新闻发布会”上得到的消息。
2021年11月7-10日，以芯动力·新征程——宽禁带半导体的机遇与挑战主题的第四届全国宽禁带半导体学术会议，在中国·福建·厦门海悦山庄酒店盛大开幕。来自国内宽禁带半导体领域学术界和产业界的专家学者、科研人员、企业代表等汇集在第四届全国宽禁带半导体学术会议当中。鹏城半导体也受邀参与此次会议，并与学术界和产业界专家、科研人员、企业代表等一同围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，交流宽禁带半导体技术的发展动态，促进相互合作。
电力电子、新能源、电动汽车、5G通 讯、高 速 轨 道 列 车、能 源 互 联 网和智能工业等领域的兴起，对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅（Si）器件已达到材料的物理极限，无法满足当前应用场景的需求。作为第 3代半导体材料的典型 代 表，氮 化 镓（GaN）在 1928年 由Johason等人首次成功制备，在一个大气压下，其晶体一般呈六方纤锌矿结构，其化学性质稳定，具有宽带隙(3.39eV )、高击穿电压(3×106V/cm )、高电子迁移率(25℃，1000cm2/V·s)、高异质结面电荷密度(1×1013cm-2)等诸多良好的电化学特性，相对于第 1代半导体材料Si和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）器件而言，GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作，因而被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一。当前，Si基半导体产业正面临投资回报率递减，GaN凭借其优异性能，有望促进半导体行业新的增长。
电子行业深度报告: 碳化硅(SiC)行业研究框架
近年来，氧化镓 (Ga2O3) 作为继碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 之后的第三代功率器件材料越来越受到关注。氧化镓是最初研究用于LED基板等的材料。带隙（价带中的电子与导带中的电子之间的能量差）为 5.3 eV。
传统的硅(Si)半导体在许多低功率和低电压应用中大显身手，然而在高功率和高电压的电力系统中，硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这三种半导体都正在得到或已得到广泛的应用。然而，它们之间却大不相同，各具特色。
摘 要：氮化镓作为第三代半导体的代表，具有优越的电学性能，它在光电子器件如：蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.。氮化镓的合成制备，对全球半导体产业的发展具有重要意义，目前已经成为世界的研究热点。本文对氮化镓薄膜以及纳米氮化镓的合成制备方法进行了综述。
国内氮化镓产业链基本形成，产业结构相对聚焦中游，中国企业纷纷入场。全球在氮化镓产业已申请16万多件专利，有效专利6万多件。其中，保护类型以发明专利为主，行业技术创新度比较高。
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，除作磨料用外，还有很多其他用途，例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁，可提高其耐磨性而延长使用寿命1～2倍；用以制成的高级耐火材料，耐热震、体积小、重量轻而强度高，节能效果好。低品级碳化硅（含SiC约85%）是极好的脱氧剂，用它可加快炼钢速度，并便于控制化学成分，提高钢的质量。此外，碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。
看到一些新闻，表示某国高科技企业开发了一种新型衬底材料，与GaN晶格匹配，可以良好生长GaN。(备注：GaN体单晶制备难度非常大，因此此处所提的GaN是外延层，此处暴露了外延层存在的意义之一)。那为什么要有衬底及外延层之分呢？外延层的存在有何意义？接下来通过本文一起来探索一下~~
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。
在半导体产业链中，特别是第三代半导体（宽禁带半导体）产业链中，会有衬底及外延层之分，那外延层的存在有何意义？和衬底的区别是什么呢？
半导体硅片供不应求，国际大厂纷纷涨价。由于全球3D NAND Flash扩产及大陆陆续投资投产的大量晶圆产能等原因，全球半导体硅片供应吃紧，三大半导体硅片厂均宣布将调涨2017年Q1的12英寸硅片价格10～20％。硅片供应与价格的变动情况将对整个IC芯片产业造成非常大的影响，我们认为供不应求的局面大概率将在未来几年持续上演，硅片产能的扩张速度将低于晶圆制造的需求增速，硅片价格也将一改过去几年的下滑趋势，行业进入新的周期。
