鹏城半导体携PVD真空镀膜设备亮相昆明ICEO2024

发布时间：

2024-03-25

2024 年4 月12-14 日在昆明花之城豪生国际酒店举办第一届新能源与光电技术国际会议(ICEO2024)，本次国际会议是新能源与光电领域科研工作者的一次专业盛会，将全面地展示科研工作者们在钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池、薄膜电池、燃料电池、锂/钠电池、发光二极管、发光电化学电池、光电探测器、激光器、传感器、薄膜晶体管等研究领域所取得的最新进展及成果，深入探讨相关研究领域所面临的机遇、挑战及未来的发展方向。届时，鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体）也受主办方邀请亮相本届会议。

　　HFCVD热丝化学气相沉积设备
　　设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。可用于力学级别、热学级别、光学级别、声学级别的金刚石产品的研发生产。
　　可以制造大尺寸金刚石多晶晶圆片，用于大功率器件、高频器件及大功率激光器的散热热沉。
　　可用于生产制造防腐耐磨硬质涂层；环保领域污水处理用的金刚石产品。
　　可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。
　　可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。

　　高真空磁控溅射仪（PVD真空镀膜设备）
　　是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。

　　分子束外延薄膜生长设备MBE（分子束外延MBE）
　　分子束外延薄膜生长设备MBE，该设备可以在某些衬底上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。

　　分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。

　　我公司设计制造的分子束外延薄膜生长设备，分实验型和生产型两种，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。
　　PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD设备）
　　PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。