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TSV技术：AI算力的核心支柱

发布时间：

2026-07-03

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打通AI芯片的数据传输大动脉，支撑算力持续跃升，需要芯片内部的底层关键技术——TSV硅通孔。TSV全称为Through-Silicon Via，中文译为硅通孔技术。简单来说，它通过在硅片中制造垂直通孔并填充导电材料，从而在硅片的上下表面之间建立一条垂直的高密度电互连通道，实现芯片之间互连，是2.5D/3D封装的关键工艺技术之一。

ChatGPT、多模态大模型的持续爆发，让AI算力成为了科技行业最受关注的核心话题。随着AI芯片算力指数级增长，一个核心瓶颈逐渐凸显：计算单元运算速度远快于内存数据传输速度，大量算力在等待数据的过程中被浪费，算力利用率下降，这就是行业常说的“存储墙”问题。而打通AI芯片的数据传输大动脉，支撑算力持续跃升，需要芯片内部的底层关键技术——TSV硅通孔。

什么是TSV？

TSV全称为Through-Silicon Via，中文译为硅通孔技术。简单来说，它通过在硅片中制造垂直通孔并填充导电材料，从而在硅片的上下表面之间建立一条垂直的高密度电互连通道，实现芯片之间互连，是2.5D/3D封装的关键工艺技术之一。

传统芯片的平面布线，使得信号和数据只能顺着平面上的“道路”绕来绕去，不仅传输慢，还会堵塞、耗电。而TSV技术则像在芯片内部修建了无数垂直电梯，让信号直接穿透硅片完成上下层交互。这种毫米级到微米级的互连距离骤减，不仅让传输延迟大幅降低，还能实现更高的互连密度和更低的功耗，是目前芯片三维互连最核心的技术方案。TSV技术已被广泛应用于各个领域，如CIS（CMOS图像传感器）、3D IC的堆叠封装等。

为什么说TSV撑起AI算力？

AI大模型的训练与推理，本质上是海量数据的高速计算与吞吐，对内存带宽的要求苛刻。如果没有高带宽内存HBM，即便GPU计算性能再强，也会因数据供给不足陷入“空转”，大量算力被白白浪费。

而支撑HBM实现性能突破的核心，正是TSV。HBM依靠3D堆叠架构同时实现高带宽与高容量，TSV则是这套堆叠架构的关键互连支柱：它通过在硅片上构建微米级的垂直导电通道，让多层DRAM芯片可以垂直堆叠并实现高效电气互连。这种垂直互连大幅缩短了堆叠芯片间的信号传输距离，同时配合先进封装技术将内存与计算单元紧密集成，实现了更高的通道密度与更快的传输速度，恰好是破解AI芯片“存储墙”瓶颈的最优解。

鹏城微纳 生产型TGV/TSV/TMV高真空磁控溅射镀膜机

未来展望

AI的进化远未停歇，算力的每一次跃迁，都对TSV技术提出更极致的呼唤。鹏城微纳技术（沈阳）有限公司（简称“鹏城微纳”）长期深耕微纳技术与高端精密制造，持续跟进TSV等先进封装核心赛道，致力于为半导体产业提供可靠的技术与装备支撑，为AI算力基座锻造坚实的垂直互连通道。我们将以坚实的底层工艺支撑，持续助力算力进阶，为中国半导体产业的高质量发展注入持久动力。

 

 

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TSV技术：AI算力的核心支柱

打通AI芯片的数据传输大动脉，支撑算力持续跃升，需要芯片内部的底层关键技术——TSV硅通孔。TSV全称为Through-Silicon Via，中文译为硅通孔技术。简单来说，它通过在硅片中制造垂直通孔并填充导电材料，从而在硅片的上下表面之间建立一条垂直的高密度电互连通道，实现芯片之间互连，是2.5D/3D封装的关键工艺技术之一。

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